produkta īpašības
VEIDS
APRAKSTS
kategorijā
Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
Tranzistors - FET, MOSFET - viens
ražotājs
Infineon Technologies
sērija
CoolGaN™
Iepakojums
Lente un spole (TR)
Bīdes josla (CT)
Digi-Reel® pielāgotā spole
Produkta statuss
pārtraukta
FET tips
N kanāls
tehnoloģija
GaNFET (gallija nitrīds)
Drenāžas avota spriegums (Vdss)
600V
Pašreizējais pie 25°C — nepārtraukta aizplūšana (ID)
31A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais Rds ieslēgts, Minimālais Rds ieslēgts)
-
Ieslēgšanas pretestība (maks.) pie dažādiem ID, Vgs
-
Vgs(th) (maksimums) ar dažādiem ID
1,6 V @ 2,6 mA
Vgs (maks.)
-10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) pie dažādiem Vd (maks.)
380pF pie 400V
FET funkcija
-
Jaudas izkliede (maks.)
125 W (Tc)
Darbības temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
uzstādīšanas veids
Virsmas stiprinājuma veids
Piegādātāja ierīču iepakojums
PG-DSO-20-87
Iepakojums/korpuss
20 PowerSOIC (0,433 collas, 11,00 mm plats)
Pamatprodukta numurs
IGOT60
Multivide un lejupielādes
RESURSA VEIDS
SAITE
Specifikācijas
IGOT60R070D1
GaN atlases rokasgrāmata
CoolGaN™ 600 V e-režīms GaN HEMTs Īss apraksts
Citi saistītie dokumenti
GaN adapteros/lādētājos
GaN serverī un telekomunikācijās
CoolGaN uzticamība un kvalifikācija
Kāpēc CoolGaN
GaN bezvadu uzlādē
video fails
CoolGaN™ 600V e-režīma HEMT pustilta novērtēšanas platforma ar GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – jaunā jaudas paradigma
2500 W pilna tilta totēma pola PFC novērtēšanas panelis, izmantojot CoolGaN™ 600 V
HTML specifikācijas
CoolGaN™ 600 V e-režīms GaN HEMTs Īss apraksts
IGOT60R070D1
Vides un eksporta klasifikācija
ATRIBŪTI
APRAKSTS
RoHS statuss
Atbilst ROHS3 specifikācijai
Mitruma jutības līmenis (MSL)
3 (168 stundas)
REACH statuss
Produkti, kas neattiecas uz REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
